Skip navigation

Browsing by Author Ловшенко, И. Ю.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я or enter first few letters:  
Showing results 1 to 20 of 25  next >
Issue DateTitleAuthor(s)
2013Device and technology simulation of IGBT on SOI structureLovshenko, I. Yu.; Nelayev, V. V.; Belous, A. I.; Turtsevich, A.; Ловшенко, И. Ю.; Нелаев, В. В.; Белоус, А. И.
2016Биполярный транзистор с изолированным затвором, изготовленный в объемном кремнии и по технологии «Кремний на изоляторе»Шелибак, И.; Ловшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р.; Shelibak, I.; Lovshenko, I. Yu.; Stempitsky, V. R.
2015Высокотемпературные диоды ШотткиЛовшенко, И. Ю.; Соловьев, Я. А.; Солодуха, В. А.
2016Интегральный трехмерный магнитометр на основе датчиков Холла, изготовленный по стандартной КМОП технологииДао Динь Ха; Волчек, В. С.; Баранова, М. С.; Ловшенко, И. Ю.; Гвоздовский, Д. Ч.; Стемпицкий, В. Р.; Dao Dinh Ha; Volchek, V. S.; Baranava, M. S.; Lovshenko, I. Yu.; Hvazdouski, D. C.; Stempitsky, V. R.
2021Исследование эксплуатационных характеристик болометраСадченко, В. В.; Ловшенко, И. Ю.
2015Конструктивно-технологические особенности сенсорных устройств на основе широкозонных полупроводниковВолчёк, В. С.; Дао Динь Ха; Ловшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р.
2014Моделирование биполярного транзистора с изолированным затвором, сформированного по КНИ-технологииЛовшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р.; Шелибак, И. М.
2017Моделирование влияния температуры, источника и интенсивности ионизирующего излучения на электрические характеристики субмикронных МОП-транзисторовЯцевич, Н. А.; Стемпицкий, В. Р.; Ловшенко, И. Ю.
2020Моделирование воздействия тяжелой заряженной частицы на электрические характеристики приборной структуры n-моп-транзистораЛовшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р.; Шандарович, В. Т.; Lovshenko, I. Yu.; Stempitsky, V. R.; Shandarovich, V. T.
2014Моделирование одиночного сбоя в МОП-транзистореЛовшенко, И. Ю.
2015Нитрид галлия – перспективный материал радиационно-стойких полупроводниковых приборовЛовшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В.Р
2020Нитрид-галлиевый транзистор с высокой подвижностью электронов с эффективной системой теплоотвода на основе графенаВолчёк, В. С.; Ловшенко, И. Ю.; Шандарович, В. Т.; Дао Динь Ха; Volcheck, V. S.; Lovshenko, I. Yu.; Shandarovich, V. T.; Dao Dinh Ha
2016Оптимизация конструктивно-технологических параметров элементной базы радиационно-стойких интегральных микросхемЛовшенко, И. Ю.; Дворников, О. В.; Стемпицкий, В. Р.
2020Оптимизация конструктивных параметров и режимов технологических операций формирования приборных структур кремниевых микростриповых детекторовРощенко, П. С.; Ловшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р.; Roshchenko, P. S.; Lovshenko, I. Yu.; Stempitsky, V. R.
2016Оптимизация характеристик полевого транзистора, управляемого p-n-переходом с учетом низкотемпературных эффектовЛовшенко, И. Ю.; Дворников, О. В.
2018Особенности приборно-технологического моделирования элементов интегральных микросхем в пакете VictoryВоронов, А. Ю.; Ловшенко, И. Ю.
2014Приборно- технологическое моделирование наноразмерных МОП-транзисторовЧан Туан Чунг; Боровик, А. М.; Ловшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р.; Кулешов, А. А.
2013Проектирование IGBT- прибора высокого быстродействияЛовшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р.; Турцевич, А. С.; Шелибак, И.
2015Разработать математические методы и программное обеспечение для проведения статистической обработки результатов экспериментальных измерений : отчет о НИР (заключ.)Стемпицкий, В. Р.; Кулешов, А. А.; Костров, А. И.; Ловшенко, И. Ю.; Чан Туан Чунг; Волчек, В. С.
2013Разработать методическое обеспечение для организации проектирования заказных и радиочастотных интегральных микросхем с использованием программного комплекса компании Cadence: отчет о НИР (заключ.)Нелаев, В. В.; Стемпицкий, В. Р.; Ловшенко, И. Ю.; Бурко, В. А.