Репозиторий БГУИР: Browsing DSpace

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
or enter first few letters:

Showing results 1 to 20 of 33 next >

Issue Date	Title	Author(s)
2023	Базовый логический элемент программируемой логической интегральной схемы	Новиков, П. Э.; Корсак, К. В.; Ловшенко, И. Ю.
2016	Биполярный транзистор с изолированным затвором, изготовленный в объемном кремнии и по технологии «Кремний на изоляторе»	Шелибак, И.; Ловшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р.
2015	Высокотемпературные диоды Шоттки	Ловшенко, И. Ю.; Соловьев, Я. А.; Солодуха, В. А.
2016	Интегральный трехмерный магнитометр на основе датчиков Холла, изготовленный по стандартной КМОП технологии	Дао Динь Ха; Волчек, В. С.; Баранова, М. С.; Ловшенко, И. Ю.; Гвоздовский, Д. Ч.; Стемпицкий, В. Р.
2021	Исследование эксплуатационных характеристик болометра	Садченко, В. В.; Ловшенко, И. Ю.
2015	Конструктивно-технологические особенности сенсорных устройств на основе широкозонных полупроводников	Волчёк, В. С.; Дао Динь Ха; Ловшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р.
2023	Микроболометры на основе пленок аморфного кремния и оксида ванадия	Ган, Н. С.; Корсак, К. В.; Чиеу, Ч. В.; Ловшенко, И. Ю.
2014	Моделирование биполярного транзистора с изолированным затвором, сформированного по КНИ-технологии	Ловшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р.; Шелибак, И. М.
2017	Моделирование влияния температуры, источника и интенсивности ионизирующего излучения на электрические характеристики субмикронных МОП-транзисторов	Яцевич, Н. А.; Стемпицкий, В. Р.; Ловшенко, И. Ю.
2020	Моделирование воздействия тяжелой заряженной частицы на электрические характеристики приборной структуры n-моп-транзистора	Ловшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р.; Шандарович, В. Т.
2014	Моделирование одиночного сбоя в МОП-транзисторе	Ловшенко, И. Ю.
2023	Наноразмерные транзисторы с кольцевым затвором на основе сегнетоэлектриков	Волчик, К. О.; Ловшенко, И. Ю.
2015	Нитрид галлия – перспективный материал радиационно-стойких полупроводниковых приборов	Ловшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В.Р
2020	Нитрид-галлиевый транзистор с высокой подвижностью электронов с эффективной системой теплоотвода на основе графена	Волчёк, В. С.; Ловшенко, И. Ю.; Шандарович, В. Т.; Дао Динь Ха.
2016	Оптимизация конструктивно-технологических параметров элементной базы радиационно-стойких интегральных микросхем	Ловшенко, И. Ю.; Дворников, О. В.; Стемпицкий, В. Р.
2020	Оптимизация конструктивных параметров и режимов технологических операций формирования приборных структур кремниевых микростриповых детекторов	Рощенко, П. С.; Ловшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р.
2016	Оптимизация характеристик полевого транзистора, управляемого p-n-переходом с учетом низкотемпературных эффектов	Ловшенко, И. Ю.; Дворников, О. В.
2023	Оптические, механические и электрические характеристики теплового неохлаждаемого детектора болометрического типа на основе оксида ванадия	Чан Ван Чиеу; Корсак, К. В.; Новиков, П. Э.; Ловшенко, И. Ю.; Завадский, С. М.; Голосов, Д. А.; Степанов, А. А.; Губаревич, А. А.; Колос, В. В.; Соловьёв, Я. А.; Левчук, Д. С.; Стемпицкий, В. Р.
2018	Особенности приборно-технологического моделирования элементов интегральных микросхем в пакете Victory	Воронов, А. Ю.; Ловшенко, И. Ю.
2014	Приборно-технологическое моделирование наноразмерных МОП-транзисторов	Чан Туан Чунг; Боровик, А. М.; Ловшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р.; Кулешов, А. А.

Showing results 1 to 20 of 33 next >

Browsing by Author Ловшенко, И. Ю.