Skip navigation

05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах : [45] Collection home page

Browse
Subscribe to this collection to receive daily e-mail notification of new additions
Collection's Items (Sorted by Submit Date in Descending order): 21 to 40 of 45
Issue DateTitleAuthor(s)
2012Многослойные структуры на основе нитрида кремния для мембранных микроэлектромеханнческих систем и полупроводниковых приборовКовальчук, Н. С.
2003Моделирование многоостровковых структур, функционирующих на эффекте одноэлектронного туннелированияИгнатенко, С. А.
2000Влияние слабых магнитных полей на свойства границы кремний-оксид кремнияНерейко, А. И.
2007Прогнозирование работоспособности полупроводниковых структур кондуктивным методом при воздействии наносекундных импульсных сигналовЖуравлев, В. И.
2001Формирование и свойства пористого кремния и лавинных светоизлучающих структур на его основеЖагиро, П. В.
2002Схемотехнические и конструктивно-технологические методы повышения быстродействия ТТЛШ и биполярно - комплементарных МОП-вентилей, используемых в логических сериях ИМС и интерфейсных БИСЕфименко, С. А.
2012Информационно-параметрические методы совершенствования технологии производства субмикронных интегральных микросхем с применением тестовых структурЕмельянов, А. В.
2003Интегральные емкостные сенсоры для ускоренного микробиологического и иммунологического контроляДрапеза, А. И.
2009Формирование мембранных датчиков расхода газа с терморезистивными чувствительными элементамиВысоцкий, В. Б.
2001Пленочные термопреобразователи сопротивления на основе анодированного алюминияВрублевский, И. А.
2002Катодные процессы в эрбийсодержащих растворах и разработка технологии легирования эрбием интегральных волноводов и светодиодов на основе пористого кремнияВолчёк, С. А.
2004Статистический анализ и оптимизация технологии изготовления интегральных микросхем методом поверхности откликовСтемницкий, В.В.
2001Прогнозирование надёжности биполярных транзисторов с использованием принципов пороговой логики методом троичного преобразования информативных параметровСтасюк, Д. М.
2005Конструктивно-технологические методы формирования тонкопленочных элементов кремниевых диодов шоттки с повышенной воспроизводимостью свойств в серийном производствеСоловьев, Я. А.
2008Автоэмиссионные структуры на основе пористого анодного оксида алюминия и углеродных нанотрубокСоловей, Д. В.
2001Физико-топологическое моделирование МОП-транзисторов для схемотехнического проектирования низкоэнергетических КМОП-схем.Будник, А. В.
2002Перенос носителей заряда и электролюминесценция в наноразмерных периодических структурах кремний/диэлектрик.Берашевич, Ю. А.
2005Разработка процессов формирования высокоинтегрированных структур полевых транзисторов для силовой электроникиРубцевич, И. И.
2000Влияние слабых магнитных полей на свойства границы кремний-оксид кремнияНарейко, А. И.
2003Оптические свойства европий- и тербийсодержащих оксидных пленок, сформированных золь-гель методом в пористом анодном оксиде алюминияМолчан, И. С.
Collection's Items (Sorted by Submit Date in Descending order): 21 to 40 of 45