Skip navigation
Home
Browse
Browse Items by:
Issue Date
Author
Title
Subject
Communities & Collections
Lang
русский
English
Log in:
My DSpace
Receive email
updates
Edit Profile
Репозиторий БГУИР
Browsing by Subject биполярные транзисторы
Jump to:
0-9
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
А
Б
В
Г
Д
Е
Ж
З
И
Й
К
Л
М
Н
О
П
Р
С
Т
У
Ф
Х
Ц
Ч
Ш
Щ
Ъ
Ы
Ь
Э
Ю
Я
or enter first few letters:
Sort by:
title
issue date
submit date
In order:
Ascending
Descending
Results/Page
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
Authors/Record:
All
1
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
Showing results 1 to 20 of 30
next >
Issue Date
Title
Author(s)
2022
Арсенид-галлиевый гетеропереходный биполярный транзистор
Кратович, П. С.
;
Тернов, Р. Е.
2021
Выбор имитационных факторов для моделирования постепенных отказов биполярных транзисторов большой мощности
Калита, Е. В.
;
Бересневич, А. И.
;
Боровиков, С. М.
;
Borovikov, S. M.
2006
Достоверность прогнозирования функциональных параметров полупроводниковых приборов методом имитационных воздействий
Боровиков, С. М.
;
Бересневич, А. И.
;
Шалак, А. В.
1982
Интегральный биполярный транзистор
Матсон, Э. А.
;
Галузо, В. Е.
2012
Использование напряжения коллектор–эмиттер в качестве имитационного фактора для прогнозирования постепенных отказов биполярных транзисторов
Бересневич, А. И.
2013
Использование параметров электрического режима биполярных транзисторов в качестве имитационных факторов
Бересневич, А. И.
;
Бондаренок, П. А.
;
Бруй, А. А.
2005
Использование параметров электрического режима биполярных транзисторов в качестве имитационных факторов
Бересневич, А. И.
;
Боровиков, С. М.
1999
Лабораторный практикум по курсу "Электронные приборы" для студентов всех специальностей БГУИР. В 2 Ч. Ч. 2. Аналоговые и импульсные устройства
Бельский, А. Я.
;
Березовский, В. К.
;
Валенко, В. С.
;
Дробот, С. В.
;
Дунаева, Г. П.
;
Мельников, В. А.
;
Путилин, В. Н.
;
Русакович, В. Н.
;
Ткаченко, Ф. А.
;
Хандогин, М. С.
2023
Метод прогнозирования электрического функционального параметра биполярных транзисторов для длительных наработок
Калита, Е. В.
2015
Модели на основе распределения Вейбулла-Гнеденко для описания деградации функциональных параметров изделий электронной техники
Боровиков, С. М.
;
Borovikov, S. M.
2022
Моделирование постепенных отказов биполярных транзисторов с использованием электрических нагрузок в качестве имитационного воздействия
Калита, Е. В.
;
Бересневич, А. И.
2010
Моделирование технологии формирования структуры IGBT транзистора
Шелибак, И. М.
2022
Моделирование электрического параметра транзисторов при прогнозировании их надежности методом имитационных воздействий
Боровиков, С. М.
;
Калита, Е. В.
;
Бересневич, А. И.
2022
Модель прогнозирования постепенных отказов биполярных транзисторов большой мощности методом имитационных воздействий для аппаратуры систем телекоммуникаций
Боровиков, С. М.
;
Будник, А. В.
;
Калита, Е. В.
;
Бересневич, А. И.
2008
Мощные и СВЧ полупроводниковые приборы : учеб. - метод. пособие
Колосницын, Б. С.
2007
Надежность и контроль качества интегральных схем : лаборатор. практикум для студентов специальности I-41 01 02 «Микро- и наноэлектр. технологии и системы» для днев. и заоч. форм обучения
Колосницын, Б. С.
;
Стешенко, П. П.
;
Уткина, Е. А.
2009
Основы компьютерного проектирования : метод. указания и контр. задания для студентов специальности 1-39 01 01 «Радиотехника» заоч. формы обучения
Шатило, Н. И.
2016
Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем
Колосницын, Б. С.
;
Гапоненко, Н. В.
2016
Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем. В 2 ч. Ч. 2 : Мощные полупроводниковые приборы : учебное пособие
Колосницын, Б. С.
;
Мигас, Д. Б.
2010
Прибор для определения коэффициента передачи тока транзисторов
Деткова, Р. М.
;
Смирнова, Н. А.