Репозиторий БГУИР: Browsing DSpace

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
or enter first few letters:

Showing results 1 to 20 of 40 next >

Issue Date	Title	Author(s)
2022	Арсенид-галлиевый гетеропереходный биполярный транзистор	Кратович, П. С.; Тернов, Р. Е.
2021	Выбор имитационных факторов для моделирования постепенных отказов биполярных транзисторов большой мощности	Калита, Е. В.; Бересневич, А. И.; Боровиков, С. М.; Borovikov, S. M.
2006	Достоверность прогнозирования функциональных параметров полупроводниковых приборов методом имитационных воздействий	Боровиков, С. М.; Бересневич, А. И.; Шалак, А. В.
1982	Интегральный биполярный транзистор	Матсон, Э. А.; Галузо, В. Е.
2013	Интервальный прогноз деградации электрических параметров изделий электронной техники	Боровиков, С. М.
2012	Использование напряжения коллектор–эмиттер в качестве имитационного фактора для прогнозирования постепенных отказов биполярных транзисторов	Бересневич, А. И.
2013	Использование параметров электрического режима биполярных транзисторов в качестве имитационных факторов	Бересневич, А. И.; Бондаренок, П. А.; Бруй, А. А.
2005	Использование параметров электрического режима биполярных транзисторов в качестве имитационных факторов	Бересневич, А. И.; Боровиков, С. М.
2011	Использование распределения Вейбулла для прогнозирования параметрической надежности электронной техники	Боровиков, С. М.; Шнейдеров, Е. Н.
2025	Компьютерная программа для прогнозирования надёжности по постепенным отказам биполярных транзисторов методом имитационных воздействий	Говса, М. В.
2024	Конструктивные решения приборных структур биполярных транзисторов с изолированным затвором и вертикальным расположением канала	Чонг Тхань Нгуен; Дао Динь Ха; Ловшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р.
1999	Лабораторный практикум по курсу "Электронные приборы" для студентов всех специальностей БГУИР. В 2 Ч. Ч. 2. Аналоговые и импульсные устройства	Бельский, А. Я.; Березовский, В. К.; Валенко, В. С.; Дробот, С. В.; Дунаева, Г. П.; Мельников, В. А.; Путилин, В. Н.; Русакович, В. Н.; Ткаченко, Ф. А.; Хандогин, М. С.
2023	Метод прогнозирования электрического функционального параметра биполярных транзисторов для длительных наработок	Калита, Е. В.
2013	Методика индивидуального прогнозирования постепенных отказов изделий электронной техники методом имитационных воздействий	Боровиков, С. М.
2015	Модели на основе распределения Вейбулла-Гнеденко для описания деградации функциональных параметров изделий электронной техники	Боровиков, С. М.; Borovikov, S. M.
2022	Моделирование постепенных отказов биполярных транзисторов с использованием электрических нагрузок в качестве имитационного воздействия	Калита, Е. В.; Бересневич, А. И.
2010	Моделирование технологии формирования структуры IGBT транзистора	Шелибак, И. М.
2022	Моделирование электрического параметра транзисторов при прогнозировании их надежности методом имитационных воздействий	Боровиков, С. М.; Калита, Е. В.; Бересневич, А. И.
2022	Модель прогнозирования постепенных отказов биполярных транзисторов большой мощности методом имитационных воздействий для аппаратуры систем телекоммуникаций	Боровиков, С. М.; Будник, А. В.; Калита, Е. В.; Бересневич, А. И.
2008	Мощные и СВЧ полупроводниковые приборы : учеб. - метод. пособие	Колосницын, Б. С.

Showing results 1 to 20 of 40 next >

Browsing by Subject биполярные транзисторы