| Дата публикации | Название | Автор(ы) |
| 2023 | Базовый логический элемент программируемой логической интегральной схемы | Новиков, П. Э.; Корсак, К. В.; Ловшенко, И. Ю. |
| 2016 | Биполярный транзистор с изолированным затвором, изготовленный в объемном кремнии и по технологии «Кремний на изоляторе» | Шелибак, И.; Ловшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р. |
| 2024 | Верификация методики определения параметров компактной модели GaAs гетеропереходных биполярных транзисторов | Новиков, П. Э.; Кратович, П. С.; Корсак, К. В.; Ловшенко, И. Ю. |
| 2015 | Высокотемпературные диоды Шоттки | Ловшенко, И. Ю.; Соловьев, Я. А.; Солодуха, В. А. |
| 2016 | Интегральный трехмерный магнитометр на основе датчиков Холла, изготовленный по стандартной КМОП технологии | Дао Динь Ха; Волчек, В. С.; Баранова, М. С.; Ловшенко, И. Ю.; Гвоздовский, Д. Ч.; Стемпицкий, В. Р. |
| 2021 | Исследование эксплуатационных характеристик болометра | Садченко, В. В.; Ловшенко, И. Ю. |
| 2015 | Конструктивно-технологические особенности сенсорных устройств на основе широкозонных полупроводников | Волчёк, В. С.; Дао Динь Ха; Ловшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р. |
| 2024 | Конструктивные решения приборных структур биполярных транзисторов с изолированным затвором и вертикальным расположением канала | Чонг Тхань Нгуен; Дао Динь Ха; Ловшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р. |
| 2023 | Микроболометры на основе пленок аморфного кремния и оксида ванадия | Ган, Н. С.; Корсак, К. В.; Чиеу, Ч. В.; Ловшенко, И. Ю. |
| 2014 | Моделирование биполярного транзистора с изолированным затвором, сформированного по КНИ-технологии | Ловшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р.; Шелибак, И. М. |
| 2017 | Моделирование влияния температуры, источника и интенсивности ионизирующего излучения на электрические характеристики субмикронных МОП-транзисторов | Яцевич, Н. А.; Стемпицкий, В. Р.; Ловшенко, И. Ю. |
| 2020 | Моделирование воздействия тяжелой заряженной частицы на электрические характеристики приборной структуры n-моп-транзистора | Ловшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р.; Шандарович, В. Т. |
| 2014 | Моделирование одиночного сбоя в МОП-транзисторе | Ловшенко, И. Ю. |
| 2023 | Наноразмерные транзисторы с кольцевым затвором на основе сегнетоэлектриков | Волчик, К. О.; Ловшенко, И. Ю. |
| 2015 | Нитрид галлия – перспективный материал радиационно-стойких полупроводниковых приборов | Ловшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В.Р |
| 2020 | Нитрид-галлиевый транзистор с высокой подвижностью электронов с эффективной системой теплоотвода на основе графена | Волчёк, В. С.; Ловшенко, И. Ю.; Шандарович, В. Т.; Дао Динь Ха. |
| 2016 | Оптимизация конструктивно-технологических параметров элементной базы радиационно-стойких интегральных микросхем | Ловшенко, И. Ю.; Дворников, О. В.; Стемпицкий, В. Р. |
| 2020 | Оптимизация конструктивных параметров и режимов технологических операций формирования приборных структур кремниевых микростриповых детекторов | Рощенко, П. С.; Ловшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р. |
| 2016 | Оптимизация характеристик полевого транзистора, управляемого p-n-переходом с учетом низкотемпературных эффектов | Ловшенко, И. Ю.; Дворников, О. В. |
| 2023 | Оптические, механические и электрические характеристики теплового неохлаждаемого детектора болометрического типа на основе оксида ванадия | Чан Ван Чиеу; Корсак, К. В.; Новиков, П. Э.; Ловшенко, И. Ю.; Завадский, С. М.; Голосов, Д. А.; Степанов, А. А.; Губаревич, А. А.; Колос, В. В.; Соловьёв, Я. А.; Левчук, Д. С.; Стемпицкий, В. Р. |
