Skip navigation

Browsing by Author Солодуха, В. А.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
 
Showing results 1 to 20 of 29  next >
Issue DateTitleAuthor(s)
20173D кремниевые фотонные структуры с оптическими межсоединениями через микроканальную пластинуЛазарук, С. К.; Лешок, А. А.; Долбик, А. В.; Высоцкий, В. Б.; Шведов, С. В.; Солодуха, В. А.; Лабунов, В. А.
2017Анализ дефектов интегральных схем с использованием атомно-силового микроскопаПилипенко, В. А.; Солодуха, В. А.; Шведов, С. В.; Петлицкий, А. Н.; Петлицкая, Т. В.; Шабалина, С. В.; Устименко, Д. С.
2020Быстрые термические процессы в технологии создания электронной элементной базы для аэрокосмической техникиСолодуха, В. А.
2018Влияние быстрой термической обработки подзатворного диэлектрика на параметры мощных полевых МОSFЕТ транзисторовСолодуха, В. А.; Пилипенко, В. А.; Горушко, В. А.
2020Влияние быстрой термической обработки подзатворного диэлектрика на параметры микросхем временных устройствСолодуха, В. А.; Пилипенко, В. А.; Горушко, В. А.
2017Влияние быстрой термообработки на оптические параметры кремнияСолодуха, В. А.; Пилипенко, В. А.; Омельченко, А. А.; Жигулин, Д. В.; Петлицкая, Т. В.; Соловьев, Я. А.
2020Влияние временных режимов термообработки на микроструктуру системы Pt-SiСолодуха, В. А.; Пилипенко, В. А.; Комаров, Ф. Ф.; Горушко, В. А.
2019Влияние режимов формирования силицида платины методом быстрой термообработки на параметры диодов ШотткиСолодуха, В. А.; Пилипенко, В. А.; Горушко, В. А.; Филипеня, В. А.
2024Влияние рекристаллизации механически нарушенного слоя с рабочей стороны кремниевой пластины на электрические параметры КМОП интегральных микросхемПилипенко, В. А.; Солодуха, В. А.; Сергейчик, А. А.; Шестовский, Д. В.
2022Влияние термической нагрузки при формировании контактов al-al на электрические параметры интегральных микросхем с контактами алюминий-поликремнийПилипенко, В. А.; Солодуха, В. А.; Ковальчук, Н. С.; Соловьёв, Я. А.; Шестовский, Д. В.; Жигулин, Д. В.
2015Высокотемпературные диоды ШотткиЛовшенко, И. Ю.; Соловьев, Я. А.; Солодуха, В. А.
2016Измерение глубины нарушенного слоя на поверхности кремниевых пластин методом оже-спектроскопииСолодуха, В. А.; Белоус, А. И.
2020Инновационные технологии и оборудование субмикронной электроникиДостанко, А. П.; Аваков, С. М.; Голосов, Д. А.; Емельянов, В. В.; Завадский, С. М.; Колос, В. В.; Ланин, В. Л.; Мадвейко, С. И.; Мельников, С. Н.; Никитюк, Ю. В.; Петлицкий, А. Н.; Петухов, И. Б.; Пилипенко, В. А.; Плебанович, В. И.; Солодуха, В. А.; Соколов, С. И.; Телеш, Е. В.; Шершнев, Е. Б.
2014Интегрированные пленочные системы в твердотельных структурах диоидов ШотткиСолодуха, В. А.; Баранов, В. В.; Комаров, Ф. Ф.; Мильчанин, О. В.; Сарычев, О. Э.; Соловьев, Я. А.; Турцевич, А. С.; Фоменко, Н. К.
2016Использование четырехзондового наноманипулятора для измерения вольтамперной характеристики биполярного N-P-N -транзистораПилипенко, В. А.; Солодуха, В. А.; Петлицкий, А. Н.; Шведов, С. В.; Панфиленко, А. К.; Петлицкая, Т. В.; Филипеня, В. А.; Жигулин, Д. В.
2022Исследования электрофизических свойств тонких подзатворных диэлектриков, полученных методом быстрой термообработкиКовальчук, Н. С.; Омельченко, А. А.; Пилипенко, В. А.; Солодуха, В. А.; Демидович, С. А.; Колос, В. В.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.
2018М – фактор как критерий качества технологического процесса изготовления полупроводниковых структурСолодуха, В. А.; Петлицкий, А. Н.; Петлицкая, Т. В.; Пилипенко, В. А.; Ковальчук, Н. С.
2018Оперативный анализ загрязнений кремниевых пластин рекомбинационно-активными примесями в производстве интегральных микросхемСолодуха, В. А.; Шведов, С. В.; Чигирь, Г. Г.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Ковальчук, Н. С.; Петлицкая, Т. В.; Филипеня, В. А.; Солодуха, В. А.
2016Оптические межсоединения между кремниевыми кристаллами на основе лавинных светоизлучающих диодов из наноструктурированного кремнияЛазарук, С. К.; Лешок, А. А.; Долбик, А. В.; Лабунов, В. А.; Солодуха, В. А.; Шведов, С. В.
2017Повышение надежности мощных транзисторов при циклическом воздействии температурыВолкенштейн, С. С.; Солодуха, В. А.; Соловьев, Я. А.; Керенцев, А. Ф.; Хмыль, А. А.