Skip navigation

Browsing by Author Петлицкая, Т. В.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я or enter first few letters:  
Showing results 1 to 19 of 19
Issue DateTitleAuthor(s)
2021Анализ геометрических параметров контактов кремниевой подложки и алюминиевой шины в интегральных микросхемах (ИМС) с использованием микроскопа с фокусированным ионным пучкомКабак, Т. В.; Петлицкая, Т. В.
2017Анализ дефектов интегральных схем с использованием атомно-силового микроскопаПилипенко, В. А.; Солодуха, В. А.; Шведов, С. В.; Петлицкий, А. Н.; Петлицкая, Т. В.; Шабалина, С. В.; Устименко, Д. С.
2018Анализ дефектов интегральных схем с использованием растро-вого электронного микроскопа в режиме наведенного токаСолодуха ., В. А.; Шведов, С. В.; Петлицкий, А. Н.; Петлицкая, Т. В.; Чигирь, Г. Г.; Пилипенко, В. А.; Филипеня, В. А.; Жигулин, Д. В.; Уситименко, Д. С.
2016Анализ причин неработоспособности кристаллов Ethernet контроллера 1990ВГ3ТТроицкий, В. Ю.; Орешков, М. В.; Захарченко, А. А.; Трепалин, А. П.; Петлицкая, Т. В.; Филипеня, В. А.
2008Влияние процесса оплавления легкоплавких стекол на их зарядовые свойства и перераспределение примеси в ионно-легированных слояхВечер, Д. В.; Пилипенко, В. А.; Горушко, В. А.; Сякерский, В. С.; Петлицкая, Т. В.; Vecher, D. V.; Pilipenko, V. A.; Gorushko, V. A.; Syakersky, V. S.; Petlitskaya, T. V.
2017Влияние быстрой термообработки на оптические параметры кремнияСолодуха, В. А.; Пилипенко, В. А.; Омельченко, А. А.; Жигулин, Д. В.; Петлицкая, Т. В.; Соловьев, Я. А.
2009Влияние лазерного геттерирования на параметры биполярных интегральных микросхемПилипенко, В. А.; Вечер, Д. В.; Горушко, В. А.; Понарядов, В. В.; Сякерский, В. С.; Петлицкая, Т. В.; Pilipenko, V. A.; Vecher, D. V.; Gorushko, V. A.; Ponaryadov, V. V.; Syakersky, V. S.; Petlitskaya, T. V.
2021Выявление дефектов интегральной микросхемы (ИМС) посредством ионно-лучевого травленияКабак, Т. В.; Петлицкая, Т. В.
2016Использование четырехзондового наноманипулятора для измерения вольтамперной характеристики биполярного N-P-N -транзистораПилипенко, В. А.; Солодуха, В. А.; Петлицкий, А. Н.; Шведов, С. В.; Панфиленко, А. К.; Петлицкая, Т. В.; Филипеня, В. А.; Жигулин, Д. В.
2006Исследование физико- механического состояния поверхности кристаллического кремния маятниковым методомДжилавдари, И. З.; Емельянов, В. А.; Пилипенко, В. А.; Петлицкая, Т. В.; Gilavdary, I. Z.; Emelyanov, V. A.; Pilipenko, V. A.; Petlitskaya, T. V.
2020Конденсаторные структуры на основе пленок титаната бария, сформированных золь-гель методомХолов, П. А.; Гапоненко, Н. В.; Шейдакова, К. В.; Крымский, В. И.; Филипеня, В. А.; Петлицкая, Т. В.; Колос, В. В.; Петлицкий, А. Н.; Петлицкий, А. Н.; Kholov, P. A.; Gaponenko, N. V.; Shaidakova, K. V.; Krymski, V. I.; Filipenya, V. A.; Petlitskaya, T. V.; Kolos, V. V.; Pyatlitski, A. N.
2018М – фактор как критерий качества технологического процесса изготовления полупроводниковых структурСолодуха, В. А.; Петлицкий, А. Н.; Петлицкая, Т. В.; Пилипенко, В. А.; Ковальчук, Н. С.
2003МОП - конденсаторы интегральных схем на основе пентаоксида танталаПетлицкая, Т. В.; Petlitskaya, Т. V.
2003МОП-конденсаторы повышенной емкости для субмикронных СБИСПетлицкая, Т. В.; Petlitzkaya, T.
2018Оперативный анализ загрязнений кремниевых пластин рекомбинационно-активными примесями в производстве интегральных микросхемСолодуха, В. А.; Шведов, С. В.; Чигирь, Г. Г.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Ковальчук, Н. С.; Петлицкая, Т. В.; Филипеня, В. А.; Солодуха, В. А.
2010Особенности вертикального масштабирования при создании биполярных микросхемПилипенко, В. А.; Понарядов, В. В.; Горушко, В. А.; Шведов, В. С.; Сякерский, В. С.; Петлицкая, Т. В.; Pilipenko, V. A.; Ponaryadov, V. V.; Gorushko, V. A.; Shvedov, V. S.; Syakersky, V. S.; Petlitskaya, T. V.
2006Оценка упругого натяжения поверхности материалов маятниковым методомДжилавдари, И. З.; Пилипенко, В. А.; Какошко, Е. Ю.; Петлицкая, Т. В.; Gilavdary, I. Z.; Pilipenko, V. A.; Kakoshko, E. Y.; Petlitskaya, T. V.
2018Современные методы и оборудование для исследования полупроводниковых структур микро- и наноэлектроники в центре коллективного пользования "Белмикроанализ" ОАО"ИНТЕГРАЛ"Солодуха, В. А.; Петлицкий, А. Н.; Петлицкая, Т. В.; Пилипенко, В. А.; Ковальчук, Н. С.
2007Установка лазерного геттерирования кремниевых пластинВечер, Д. В.; Пилипенко, В. А.; Горушко, В. А.; Сякерский, В. С.; Петлицкая, Т. В.; Vecher, D. V.; Pilipenko, V. A.; Gorushko, V. A.; Syakersky, V. S.; Petlitskaya, T. A.